Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS6990A
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- FDS6990A
FDS6990A Hakkında
FDS6990A, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip bu küçük sinyal FET, 30V drain-source voltajında 7.5A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. 8-SOIC yüzey montaj paketi içinde iki N-Channel transistör barındırır. 18mΩ maksimum on-direnç (Rds(on)) değeri ile düşük güç kaybında çalışır. 900mW maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Vgs(th) maksimum 3V olup 250µA drenaj akımında ölçülmüştür. Geniş input kapasitansi (1235pF @ 15V) ve düşük gate şarjı (17nC @ 5V) özellikleri vardır. Anahtarlama devreleri, AC anahtarlar, düşük frekans inverter ve sürücü uygulamalarında kullanılır. Active durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1235pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok