Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDS6986S

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS6986S

FDS6986S Hakkında

FDS6986S, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel Power MOSFET transistör dizisidir. 30V Drain-Source voltajı ve 6.5A/7.9A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük voltaj kontrol sinyalleriyle çalışabilir. RDS(on) değerleri 29mOhm (6.5A, 10V) ve 20mOhm (7.9A, 10V) olarak belirtilmiştir. Surface Mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, anahtarlama güç kaynakları ve yük anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, 900mW maksimum güç dağıtım kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A, 7.9A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 5V, 16nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 695pF @ 10V, 1233pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 6.5A, 10V, 20mOhm @ 7.9A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA, 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok