Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS6982S
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- FDS6982S
FDS6982S Hakkında
FDS6982S, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-channel Power MOSFET dizisidir. Logic level gate özelliğine sahip bu transistör, 30V Drain-Source gerilimi ve 6.3A/8.6A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 28mOhm On-state resistance (Rds) ile düşük güç kaybı sağlar. 900mW maksimum güç disipasyonu ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 3V kapı eşik gerilimi (Vgs) ile hızlı ve güvenilir anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.3A, 8.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2040pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 6.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok