Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDS6982

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS6982

FDS6982 Hakkında

FDS6982, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-channel power MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 6.3A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol sinyalleriyle çalışabilir. 28mΩ on-resistance (10V, 6.3A koşullarında) ile verimli anahtarlama sağlar. Surface mount 8-SOIC pakette sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Motor denetim, güç dağıtım, LED sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 900mW güç yayılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.3A, 8.6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 900mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 6.3A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok