Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDS6930A

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS6930A

FDS6930A Hakkında

FDS6930A, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 30V drain-source voltajına ve 5.5A sürekli drenaj akımına sahip bu komponent, logic level gate özelliği ile düşük voltaj uygulamalarında kullanılabilir. 40mOhm maksimum on-dirençi (RDS On) ve 7nC gate charge ile anahtarlama hızı ve enerji verimliliği sağlar. Surface mount 8-SOIC paketi ile entegre edilmiş devre tasarımlarında kullanılmaya uygun olan bu transistör, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücü ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına ve 900mW maksimum güç dağılımına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 900mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 5.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok