Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS6912A
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
FDS6912A Hakkında
FDS6912A, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajı ve 6A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, logic level gate özelliğine sahiptir ve 10V, 6A koşullarında 28mOhm drain-source direnç değerine ulaşır. 8-SOIC yüzey montaj paketi ile sunulan FDS6912A, -55°C ile 150°C arasında çalışır ve maksimum 900mW güç tüketebilir. Düşük gate charge değeri (8.1nC @ 5V) sayesinde hızlı komütasyona uygun olan bu transistör, motor denetim, güç yönetimi, LED sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.1nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 575pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok