Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS6900S
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- FDS6900S
FDS6900S Hakkında
FDS6900S, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-channel Power MOSFET dizisidir. 30V drain-source voltaj ile çalışan bu komponent, Logic Level Gate özelliğine sahip olup 6.9A sürekli drain akımı sağlayabilir. 8-SOIC yüzey monte paketinde sunulan FDS6900S, -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Düşük gate charge (11nC @ 5V) ve optimize edilmiş RDS(on) (30mOhm @ 6.9A, 10V) özellikleri ile motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, elektriksel anahtarlama uygulamaları ve güç yönetim sistemlerinde kullanılır. Aktif parça statüsü ile uzun vadeli tedarik desteği mevcuttur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.9A (Ta), 8.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 5V, 17nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 771pF @ 15V, 1238pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 900mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 6.9A, 10V, 22mOhm @ 8.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA, 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok