Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS6900AS
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
FDS6900AS Hakkında
FDS6900AS, onsemi tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 30V drain-source voltaj (Vdss) ve 6.9A-8.2A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, logic level gate kontrolüne sahiptir. 27mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim direncine sahip olan FDS6900AS, güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 15nC gate charge ve 600pF input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.9A, 8.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 6.9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok