Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS6900AS-G
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
FDS6900AS-G Hakkında
FDS6900AS-G, onsemi tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 6.9A/8.2A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 27mOhm (10V, 6.9A) RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey monte pakette sunulan FDS6900AS-G, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, LED sürücüleri ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, kompakt tasarıma ihtiyaç duyulan endüstriyel ve tüketici elektronikleri için uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.9A, 8.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 6.9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA, 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok