Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS6900AS
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- FDS6900AS
FDS6900AS Hakkında
FDS6900AS, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. Logic level gate özelliğine sahip bu küçük sinyal FET, 30V Drain-Source geriliminde çalışabilir ve maksimum 6.9A veya 8.2A sürekli dren akımı sağlar. 27mOhm on-resistance değeri ile güç yönetimi uygulamalarında düşük ısıl kayıp sunar. 900mW güç kapasitesi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı ile geniş endüstriyel ve tüketici uygulamalarına uyundur. 8-SOIC surface mount paketinde sunulan bileşen, anahtarlama devreleri, güç dağıtımı, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.9A, 8.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 6.9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok