Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS6892AZ
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- FDS6892A
FDS6892AZ Hakkında
FDS6892AZ, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel Power MOSFET transistör dizisidir. 20V Drain to Source voltajında 7.5A sürekli akım kapasitesine sahip olan bu bileşen, logic level gate kontrolü ile direkt mikrodenetleyici ve dijital lojik devreleriyle uyumludur. 18mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlayan bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç dönüştürücüleri ve load switching devreleri için uygundur. 900mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve -55°C ~ 150°C geniş çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ortamlarda kullanılabilir. 8-SOIC Surface Mount paketinde sunulmaktadır. Not: Bu ürün obsolete (kullanımdan kaldırılmış) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1286pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 7.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok