Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS6892A
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
FDS6892A Hakkında
FDS6892A, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source gerilimi ve 7.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygundur. Logic level gate özellikleri sayesinde düşük gerilim kontrol sinyalleriyle çalışabilir. 18mOhm RDS(on) değeri ile iletim kayıplarını minimalize eder. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bileşen, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve yük anahtarlaması gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, 900mW maksimum güç dağıtma kapasitesine sahiptir. Düşük gate charge değeri (17nC @ 4.5V) hızlı anahtarlama sağlar ve enerji verimliliğini artırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1333pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 7.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok