Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS6890A
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- FDS6890A
FDS6890A Hakkında
FDS6890A, Rochester Electronics tarafından üretilen çift N-channel MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip bu transistör, 20V drain-source gerilimi ve 7.5A sürekli drain akımı ile çalışır. 18mΩ on-state direnci (Rds(on)) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. 32nC gate charge ve 2130pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama uygulamaları için elverişlidir. 8-SOIC surface mount paket ile sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2130pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 7.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok