Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS6875
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- FDS6875
FDS6875 Hakkında
FDS6875, Rochester Electronics tarafından üretilen Dual P-Channel Power MOSFET transistördür. 20V Drain-Source voltajı ve 6A sürekli dren akımı kapasitesiyle analog ve dijital devrelerde anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük voltaj kontrolü ile çalışabilir. 30mOhm on-resistance değeri ile ısıl kayıpları minimize eder. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu komponentin çalışma sıcaklığı -55°C ile 150°C arasında değişir. Motor kontrolü, güç yönetimi, load switching ve başka endüstriyel kontrol devrelerinde tercih edilir. 900mW maksimum güç harcaması ile tasarımı kolay entegrasyonu mümkün kılar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2250pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok