Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS6812A
MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8SOIC
FDS6812A Hakkında
FDS6812A, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 20V Drain-Source gerilim değeri ile 6.7A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Logic level gate özelliğine sahip olan transistör, 4.5V Vgs voltajında 22mOhm düşük RDS(on) direnci ile karakterizedir. Gate charge değeri 19nC ve input capacitance 1082pF'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 900mW güç tüketimi ile tasarlanmıştır. 1.5V threshold voltajı sayesinde düşük voltaj uygulamalarında kolaylıkla kontrolü mümkündür. Switching uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve hızlı anahtarlama gerektiren devreler için kullanılan bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1082pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 6.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok