Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS6812A
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- FDS6812A
FDS6812A Hakkında
FDS6812A, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel Power MOSFET türevi bir transistör dizisidir. 20V drain-source gerilimi ve 6.7A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 4.5V'de 22mOhm RDS(on) değeri ile düşük kayıp anahtarlama sağlar. 8-SOIC yüzey monte paketinde sunulan FDS6812A, motor kontrol, LED sürücü, güç dağıtım modülleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu komponent, 19nC gate charge ve 1082pF input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1082pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 6.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok