Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS4953
P-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- FDS4953
FDS4953 Hakkında
FDS4953, Rochester Electronics tarafından üretilen dual P-Channel Power MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 5A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrolü uygulamalarında kullanılabilir. 55mOhm On-resistance (Rds) değeri ile enerji kaybını minimize eder. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve akım kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Parça yaşlanmış durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 528pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok