Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS4935BZ
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- FDS4935
FDS4935BZ Hakkında
FDS4935BZ, Rochester Electronics tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajına ve 6.9A sürekli drain akımına sahip bu komponent, küçük sinyal uygulamalarında kullanılır. 22mOhm on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklıdır. Audio amplifikatörler, güç anahtarları, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 900mW maksimum güç yeteneği ile batarya yönetimi ve mobil uygulamalarında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1360pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 900mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 6.9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok