Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS4935A
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- FDS4935A
FDS4935A Hakkında
FDS4935A, Rochester Electronics tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 7A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim lojik devreleriyle doğrudan sürülebilir. 23mΩ on-resistance değeri ve 21nC gate charge karakteristiğiyle verimli anahtarlama performansı sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, batarya koruma devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklık aralığında dayanıklı operasyon sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1233pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok