Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDS4895C

P-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS4895C

FDS4895C Hakkında

FDS4895C, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilim (Vdss) ve 5.5A maksimum drain akımı ile tasarlanmıştır. 39mOhm on-resistance (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 900mW maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Surface mount 8-SOIC paket ile PCB entegrasyonu kolaylaştırılmıştır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı geniş uygulama yelpazesini destekler. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrolü ve dalgalandırma (boost converter) gibi güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 10nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A, 4.4A
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 20V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 900mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 5.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok