Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDS4501H

MOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS4501H

FDS4501H Hakkında

FDS4501H, onsemi tarafından üretilen N-Channel ve P-Channel MOSFET transistör dizisidir. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 30V (N-Channel) ve 20V (P-Channel) drain-source gerilim değerlerine sahiptir. Logic level gate özelliği sayesinde düşük kontrol geriliminde çalışabilir. Maksimum drain akımı N-Channel için 9.3A, P-Channel için 5.6A olup, düşük on-direnç (18mOhm @ 10V) karakterizasyonu ile enerji tasarrufu sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve entegre analog-dijital sistemlerde yaygın olarak kullanılır. Bileşen şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.3A, 5.6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V, 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1958pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 9.3A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok