Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDS3992

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS3992

FDS3992 Hakkında

FDS3992, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel power MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source gerilimi ve 4.5A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 62mOhm on-resistance (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-SOIC yüzey monte paket ile kompakt tasarımlara uyum gösterir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 2.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 62mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok