Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS3912
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
FDS3912 Hakkında
FDS3912, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 100V Vdss ve 3A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, logic level gate özelliğine sahiptir ve 125mOhm (Rds On @ 3A, 10V) düşük iç dirençle çalışır. 8-SOIC yüzey montajı paketi ile tasarlanmıştır. Elektronik anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılan bu transistör, -55°C ile +175°C arasında işletilme sıcaklığına dayanır. 900mW maksimum harcama gücü ve 20nC gate charge karakteristikleri ile sürücü devrelerine uyumludur. Ürün mevcut olarak sona erdirilmiş (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 632pF @ 50V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok