Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS3812
MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC
FDS3812 Hakkında
FDS3812, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörlü entegre devredir. 80V drain-source voltaj ve 3.4A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Logic Level Gate özelliği ile düşük voltajlı giriş sinyalleriyle kontrol edilebilir. 74mOhm RDS(on) değeri ile iletim direnci düşüktür. 8-SOIC yüzeye monte paket ile PCB'ye direk entegre edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC konvertörlerde kullanılır. Maximum 900mW güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 634pF @ 40V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 74mOhm @ 3.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok