Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS3601
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- FDS3601
FDS3601 Hakkında
FDS3601, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-channel power MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip bu komponent, 100V drain-source gerilimi ile çalışır ve 1.3A sürekli drain akımı sağlar. 480mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direncine sahiptir. 900mW güç kapasitesi, 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Düşük gate charge (5nC @ 10V) hızlı anahtarlama performansı sağlar. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmış durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 153pF @ 50V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 1.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok