Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS3601
MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
FDS3601 Hakkında
FDS3601, onsemi tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 100V drain-source gerilimi ve 1.3A sürekli akım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 480mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan FDS3601, motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 153pF @ 50V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 1.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok