Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDR8702H

MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SuperSOT™-8
Seri / Aile Numarası
FDR8702H

FDR8702H Hakkında

FDR8702H, onsemi tarafından üretilen N-Channel ve P-Channel MOSFET transistörlerinin entegre edildiği bir dizi bileşendir. 20V Drain-Source gerilimi ile çalışabilen bu komponent, 3.6A (N-Channel) ve 2.6A (P-Channel) sürekli drenaj akımına sahiptir. Logic Level Gate özelliği ile 4.5V ile tetiklenebilir. SSOT-8 (SuperSOT-8) yüzey montajlı paket içerisinde sunulan FDR8702H, düşük 38mOhm on-resistance değeri ile güç uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve gömülü sistem tasarımlarında kullanılan yaygın bir komponenttir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A, 2.6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 800mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Supplier Device Package SuperSOT™-8
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok