Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDR8508P

SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

Paket/Kılıf
SuperSOT™-8
Seri / Aile Numarası
FDR8508

FDR8508P Hakkında

FDR8508P, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal dual P-channel MOSFET transistörüdür. SuperSOT-8 SMD paketinde sunulan bu bileşen, 30V drain-source gerilimi ve 3A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği sayesinde düşük voltaj sürücülerle doğrudan kontrol edilebilir. 52mOhm'luk düşük RDS(on) değeri, anahtarlama uygulamalarında verim kaybını minimize eder. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve 12nC gate charge ile hızlı komütasyon sağlar. Güç yönetimi, anahtarlama kaynakları, motor kontrol ve genel dijital lojik uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Parça obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 800mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package SuperSOT™-8
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok