Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDR8508P
MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SuperSOT™-8
- Seri / Aile Numarası
- FDR8508
FDR8508P Hakkında
FDR8508P, onsemi tarafından üretilen çift P-kanal MOSFET dizisidir. 30V drain-source gerilimi ve 3A sürekli akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. Logic level gate özelliğine sahip olan bu bileşen, 52mOhm on-state direncine (Rds(on)) ve 800mW maksimum güç tüketimine sahiptir. SuperSOT-8 yüzey montajlı paket ile sunulan FDR8508P, -55°C ile +150°C arasında çalışabilmektedir. Güç yönetimi, anahtar uygulamaları ve kontrol devreleri gibi düşük gerilim uygulamalarında kullanılabilir. Komponentin part status'u obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 800mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok