Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDPC1012S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
FDPC1012S

FDPC1012S Hakkında

FDPC1012S, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel asymmetrical power MOSFET'tir. 25V drain-source gerilimi ile çalışan bu transistör, 88A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 8-PowerWDFN yüzey montajlı paket ile sunulan komponent, 2.2mOhm (23A, 4.5V) ile 7mOhm (12A, 4.5V) arasında değişen on-direnç (Rds) karakteristiğine ve 8nC ile 25nC arasında kapı yükü değerlerine sahiptir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilen FDPC1012S, sürücü devreleri, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol uygulamaları ve yüksek akımlı anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta), 35A (Tc), 26A (Ta), 88A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1075pF @ 13V, 3456pF @ 13V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power - Max 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 12A, 4.5V, 2.2mOhm @ 23A, 4.5V
Supplier Device Package Powerclip-33
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok