Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDPC1002S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
FDPC1002S

FDPC1002S Hakkında

FDPC1002S, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel power MOSFET transistör dizisidir. 8-PowerWDFN SMD paketinde sunulan bu bileşen, 25V Drain-Source gerilimi ve 60A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 1.8mOhm düşük RDS(on) direnci sayesinde enerji dağılımını azaltır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Gate Charge değerleri 19nC ve 64nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Güç yönetimi, motor sürücüleri, LED kontrol devreler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Bileşen şu anda üretilmemektedir (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V, 64nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1240pF @13V, 4335pF @ 13V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Obsolete
Power - Max 1.6W (Ta), 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V
Supplier Device Package Powerclip-33
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok