Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDMW2512NZ
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-WFDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- FDMW2512
FDMW2512NZ Hakkında
FDMW2512NZ, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal çift N-channel MOSFET transistörüdür. 6-WFDFN SMD paketinde sunulan bu komponent, 20V Drain-Source gerilimi ve 7.2A sürekli Drain akımı özelliğine sahiptir. RDS(on) değeri 4.5V Vgs'te 26mOhm ile düşük direnç gerektiren uygulamalarda tercih edilir. 800mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile sürücü devreleri, anahtar uygulamaları ve sinyal yönetimi devrelerinde kullanılabilir. -55°C ile +150°C geniş çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygunluk sağlar. Common Drain konfigürasyonu ile tasarlanan bu dual MOSFET, kompakt PCB tasarımlarında yer tasarrufu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 740pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WFDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 7.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-MLP (2x5) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok