Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDMS3669S

MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS3669S

FDMS3669S Hakkında

FDMS3669S, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 13A/18A sürekli dren akımı özellikleri ile düşük güç uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol devreleri ile direkt olarak kullanılabilir. 10mOhm RDS(on) değeri ile minimal ısı kaybı sağlar. Surface mount POWER56 paketinde sunulan bu transistör, -55°C ~ 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtar uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve düşük voltaj dağıtım sistemlerinde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A, 18A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1605pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power - Max 1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package Power56
Vgs(th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok