Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDMS3660S-F121

MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS3660S

FDMS3660S-F121 Hakkında

FDMS3660S-F121, onsemi tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ile çalışabilen bu bileşen, 13A ve 30A sürekli dren akımı kapasitelerine sahiptir. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrolü uygulamalarında kullanılabilir. 8mOhm maksimum on-state direnci ile güç kaybını minimize eder. Surface mount paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge değeri (29nC @ 10V) hızlı anahtarlama işlemleri sağlar. Part status obsolete olup, yeni tasarımlarda kullanılması önerilmez.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A, 30A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1765pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Obsolete
Power - Max 1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package Power56
Vgs(th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok