Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDMS3660S
MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Seri / Aile Numarası
- FDMS3660S
FDMS3660S Hakkında
FDMS3660S, onsemi tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. Logic level gate özelliğine sahip bu komponent, 30V drain-source voltajında 30A ve 60A sürekli drenaj akımı sağlar. 8-PowerTDFN (Power56) yüzey montajlı pakette sunulan cihaz, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 8mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge 29nC ve input capacitance 1765pF değerleriyle hızlı komütasyon karakteristiğine sahiptir. Vgs(th) 2.7V ile TTL/CMOS uyumlu sürülebilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A, 60A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1765pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | Power56 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok