Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDMS3660AS

MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS3660AS

FDMS3660AS Hakkında

FDMS3660AS, onsemi tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj derecesine ve 13A/30A sürekli drain akım kapasitesine sahip bu bileşen, Logic Level Gate özelliği ile düşük voltaj sürücü devrelerle doğrudan uyumludur. 8mΩ on-resistance değeriyle düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerTDFN yüzey montajlı pakette sunulan FDMS3660AS, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılmaya uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Ürün statüsü kullanım dışıdır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A, 30A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2230pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Obsolete
Power - Max 1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package Power56
Vgs(th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok