Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDMS3622S
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Seri / Aile Numarası
- FDMS3622S
FDMS3622S Hakkında
FDMS3622S, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-channel asimetrik MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip bu küçük sinyal FET, 25V drain-source geriliminde çalışır. Maksimum 17.5A veya 34A sürekli drain akımı kapasitesiyle sahip olup, 5mΩ on-resistance değerine ulaşır. 8-PowerTDFN yüzey montaj paketi ile tasarlanmış olup, -55°C ile +150°C arasında işletme sıcaklığında kullanılabilir. Düşük gate charge (26nC @ 10V) ve kontrollü input kapasitesi (1570pF @ 13V) ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve motor kontrolü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.5A, 34A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1570pF @ 13V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 17.5A, 10V |
| Supplier Device Package | Power56 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok