Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDMS3615S

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS3615S

FDMS3615S Hakkında

FDMS3615S, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal dual N-channel MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 25V Drain-to-Source gerilimi ve 16A sürekli dren akımına kapaklıdır. 5.8mΩ kapalı durum direnci ile düşük güç kaybı sağlayan bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. Surface mount 8-PowerTDFN pakette sunulan FDMS3615S, geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A, 18A
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1765pF @ 13V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power - Max 1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok