Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDMS3610S

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS3610S

FDMS3610S Hakkında

FDMS3610S, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörlü asymmetrical dizi yapısındaki bir small signal FET bileşenidir. 25V drain-source voltajına sahip ve Logic Level Gate özelliği ile 10V'da çalışabilir. Maksimum 17.5A ve 30A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 5mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 8-PowerTDFN paketinde sunulur ve -55°C ile 150°C arası sıcaklık aralığında çalışır. Motor kontrolleri, DC-DC dönüştürücüler, anahtarlama devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17.5A, 30A
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1570pF @ 13V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power - Max 1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 17.5A, 10V
Supplier Device Package Power56
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok