Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDMS3606S
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Seri / Aile Numarası
- FDMS3606S
FDMS3606S Hakkında
FDMS3606S, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip olan bu bileşen, 30V drain-source voltaj kapasitesi ve 27A sürekli drain akımı ile karakterize edilir. Surface mount 8-PowerTDFN paketinde sunulan transistör, 8mΩ düşük on-resistance değeri ile güç denetim ve anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabilite sağlayan FDMS3606S, şarj kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve motor kontrolü gibi düşük sinyal seviyeleri gereken güç elektronik tasarımlarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A, 27A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1785pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok