Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDMS3606AS

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS3606AS

FDMS3606AS Hakkında

FDMS3606AS, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-channel asymmetrical MOSFET transistörüdür. Logic level gate özelliğine sahip bu küçük sinyal FET, 30V drain-source voltaj ile çalışır. 13A ve 27A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8mOhm düşük on-state direnci (Rds On) ve hızlı sürme özellikleri ile güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörler, motor kontrol ve portable elektronik cihazlarda kullanılır. -55°C ile 150°C arası sıcaklık aralığında çalışır. Surface mount 8-PQFN paketi ile PCB'ye doğrudan entegre edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A, 27A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1695pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power - Max 1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok