Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDMS3604AS

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS3604AS

FDMS3604AS Hakkında

FDMS3604AS, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal MOSFET transistördür. İki adet N-Channel MOSFET'ten oluşan asimetrik bir diziye sahiptir. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ile çalışabilen bu bileşen, logic level gate özelliğine sahiptir ve 10V'de 29nC'lik gate charge değerine sahiptir. Maksimum 13A veya 23A sürekli dren akımında çalışabilir, 10V Vgs'de 8mOhm on-resistance sunmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. 8-pin PowerTDFN (5x6mm) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve sinyal kontrol sistemlerinde tercih edilir. Aktif olmayan durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A, 23A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1695pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Obsolete
Power - Max 1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok