Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDMS3602S
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Seri / Aile Numarası
- FDMS3602S
FDMS3602S Hakkında
FDMS3602S, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. Logic Level Gate özelliğine sahip bu bileşen, 25V Drain-Source gerilimi ve 26A sürekli dren akımı kapasitesi ile çalışmaktadır. 5.6mOhm Rds(On) değeri düşük iletim kayıpları sağlar. Surface Mount paketi (8-PowerTDFN) ile PCB entegrasyonu kolaylaştırılmıştır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında güvenli çalışır. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri, motor kontrol ve DC-DC konvertör uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A, 26A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1680pF @ 13V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | Power56 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok