Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDMS3602AS
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Seri / Aile Numarası
- FDMS3602
FDMS3602AS Hakkında
FDMS3602AS, Rochester Electronics tarafından üretilen çift N-Channel (Dual) asimetrik MOSFET transistördür. Logic Level Gate özelliğine sahip bu bileşen, 25V drain-source voltajında 15A ile 26A arasında sürekli akım kapasitesine sahiptir. 8-PowerTDFN (5x6mm) Surface Mount paketinde sunulan kompakt çözüm, 5.6mOhm RDS(on) değeriyle düşük iletim direncine ve 27nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliklerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlayan bu transistör, güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 2.2W-2.5W maksimum güç derecelendirilmesiyle kompakt tasarımlar için uygun bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A, 26A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1770pF @ 13V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.2W, 2.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok