Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDMS3600S

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS3600S

FDMS3600S Hakkında

FDMS3600S, Rochester Electronics tarafından üretilen asimetrik dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 25V drain-source gerilimi ile çalışan bu bileşen, maksimum 40A (Tc) sürekli drain akımı sağlayabilir. 8-PowerTDFN (5x6mm) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, düşük on-direnç değerleri (1.6mOhm @ 30A, 10V) ve kontrollü gate charge özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilir. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Ta), 30A (Tc), 30A (Ta), 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V, 82nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1680pF @13V, 5375pF @ 13V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power - Max 2.2W (Ta), 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA, 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok