Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDMS3600AS
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Seri / Aile Numarası
- FDMS3600AS
FDMS3600AS Hakkında
FDMS3600AS, Rochester Electronics tarafından üretilen logic level gate'li dual N-Channel MOSFET transistördür. Surface mount 8-PQFN (5x6) paketinde sunulan bu bileşen, asimetrik konfigürasyonda iki N-channel FET içerir. 25V Vdss derecelendirilmiş cihaz, 15A ve 30A continuous drain akımı kabiliyeti ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük 5.6mOhm RDS(on) değeri, 27nC gate charge ve 1770pF input capacitance özellikleriyle anahtarlama hızını ve enerji verimliliğini destekler. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve 2.2W-2.5W maksimum güç disipasyonuna izin verir. Motor kontrol, AC/DC regülatör, point-of-load (POL) dönüştürücü ve genel anahtarlama devrelerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A, 30A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1770pF @ 13V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.2W, 2.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok