Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDMS001N025DSD

MOSFET 2N-CH 25V 8PQFN

Üretici
Flip Electronics
Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS001N025DS

FDMS001N025DSD Hakkında

FDMS001N025DSD, Flip Electronics tarafından üretilen düşük on-direnç (RDS on) özellikli dual N-channel MOSFET transistördür. 25V drain-source voltaj derecelemesi ile güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. 8-pin PowerWDFN (5x6mm) SMD paketinde sunulan bileşen, asimetrik konfigürasyonda iki ayrı MOSFET kanalı içerir. 19A (Ta) ve 69A (Tc) sürekli dren akım kapasitesi, 3.25mΩ (19A, 10V) ve 920µΩ (38A, 10V) on-direnci ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, 2.1W-26W (Ta-Tc) güç kapasitesiyle kompakt uygulamalar için uygun tasarlanmıştır. Düşük gate charge (30nC-104nC @ 10V) sayesinde hızlı anahtarlama sağlar. Bileşen sürümü kullanım dışı (obsolete) konumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Ta), 69A (Tc), 38A (Ta), 165A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V, 104nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1370pF @ 13V, 5105pF @ 13V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Obsolete
Power - Max 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.25mOhm @ 19A, 10V, 920µOhm @ 38A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok