Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDMQ8403
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 12-WDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- FDMQ8403
FDMQ8403 Hakkında
FDMQ8403, Rochester Electronics tarafından üretilen 4 N-Channel H-Bridge konfigürasyonunda Power Field-Effect Transistor dizisidir. 100V drain-source gerilimi ve 3.1A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 12-WDFN SMD paketinde sunulan transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 110mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar ve 5nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı gösterir. H-Bridge topolojisinde yer alan dört transistörlü yapısı sayesinde DC motor kontrol ve bi-yönlü güç uygulamalarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 215pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 12-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.9W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | 12-MLP (5x4.5) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok