Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDMQ8203

MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
12-WDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
FDMQ8203

FDMQ8203 Hakkında

FDMQ8203, onsemi tarafından üretilen 2 N-Channel ve 2 P-Channel MOSFET içeren entegre bir H-Bridge konfigürasyonudur. 12-WDFN (5x4.5mm) Surface Mount paketinde sunulan bu komponent, 100V/80V Drain-Source voltaj desteği ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 3.4A ve 2.6A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan FDMQ8203, Motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, LED sürücüleri ve güç anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol sinyalleri ile çalışabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.4A, 2.6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V, 80V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 50V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 12-WDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 2.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package 12-MLP (5x4.5)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok