Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDMJ1032C

MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.5A SC75

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-WFDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
FDMJ1032C

FDMJ1032C Hakkında

FDMJ1032C, onsemi tarafından üretilen dual N ve P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ile çalışan bu bileşen, 3.2A (N-Channel) ve 2.5A (P-Channel) sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliğine sahip olan transistör, 1.5V eşik gerilimi ile düşük gerilim uygulamalarında kullanılabilir. 90mΩ'luk düşük Rds(on) değeri ve 3nC gate yükü, verimli anahtarlama işlemleri sağlar. Surface mount 6-WFDFN paketinde sunulan ve 800mW maksimum güce sahip olan bu bileşen, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.2A, 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-WFDFN Exposed Pad
Part Status Obsolete
Power - Max 800mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3.2A, 4.5V
Supplier Device Package SC-75, MicroFET
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok